短头发，说话很快。
碳管阵列生长工艺负责人，林恩恩。
“打个比方。硅基晶体管的电子跑起来像在泥地里走路，碳管里的电子像在冰面上滑。
同样的距离，一个喘得要死，一个根本没出汗。”
方墨在角落里轻声嘀咕了一句：“冰面上打冰壶。”
林恩恩看了他一眼，没理。
“载流子饱和速度四乘十的七次方厘米每秒，硅的四倍。”
周政切到下一页，“更关键的是，碳管的一维超薄体结构天然压制短沟道效应。
硅基芯片缩到三纳米以下，量子隧穿漏电堵都堵不住，得靠GAA环栅、背面供电这些复杂架构去兜。
碳管不用。物理结构本身就是答案。”
“所以我们在七纳米节点，用的是最简单的平面顶栅结构。”
陈阳问：“器件架构说一下。”
周政右手边的人接过话。
瘦高个，四十出头，左手无名指缠着创可贴——大概是调试设备时划的。
器件架构与集成负责人，陈锋。
跟陈阳同姓，但没有亲戚关系。
“无掺杂cmoS。”
陈锋把投影切到器件截面图，“硅基芯片造p型和N型晶体管，得靠离子注入往硅里面砸掺杂原子。
温度上千度，而且砸进去的原子分布不均匀，直接影响器件一致性。”
“我们不掺杂。p型管用钯做源漏电极，N型管用钪。
金属功函数不一样，电子注入行为不一样，晶体管极性就分开了。”
他翻到下一张图，是一组对比数据。
“免掺杂带来两个好处。第一，没有离子注入造成的晶格损伤，器件寿命延长三倍以上。
第二，阈值电压一致性提升一个数量级。
直接反映在良率上——我们首批试产的良率是百分之九十二点三。”
苏清妍的笔停了一下，抬头看了陈阳一眼。
百分之九十二点三。
台积电三纳米工艺刚量产时的良率不到百分之八十。
陈阳没有表态，示意继续。
第三个人站起来。
矮胖，说话带江浙口音。
碳管提纯与材料负责人，何建宏。
天奈科技并入的技术骨干。
“原料是整条工艺链的命门。”
何建宏打开自己的笔记本电脑，屏幕上是一组纯度检测报告。
“半导体型碳管纯度要求六个九——百分之九十九点九九九九。少一个九，芯片就会出现随机逻辑错误。
这个指标在三年前全世界没有人能做到公斤级量产。”
“现在能做到。”
他指着报告上的数字，
“凝胶色谱法提纯，六台设备并联，日产量两公斤。
管径偏差控制在零点二纳米以内，带隙零点五到零点七电子伏特，无金属催化剂残留。”
“两公斤够造多少片晶圆？”陈阳问。
“八英寸晶圆，每天两公斤碳管大约支撑四百片。”
何建宏答得很快，“六条产线全开的话日需十二公斤，提纯设备还得扩三倍。
但这只是工程放量的问题，技术上没有瓶颈了。”
陈阳转头看方墨。
方墨点了下头，意思是数据跟伏羲的交叉验证结果一致。
“衬底呢？”
“八英寸高阻单晶硅，表面热氧化二百八十纳米二氧化硅绝缘层。”
何建宏摆手，“这个不值得说，跟普通硅基晶圆一模一样，国内几十家厂能供。”
第四个人没等被点名就开口了。
三十出头，穿着蓝色冲锋衣，看着不像搞科研的。
光刻与图形化工艺负责人，许哲。
“各位最关心的问题——不用EUV怎么做七纳米。”
许哲把投影抢过来，切到一张工艺流程图。
“ArF浸没式dUV，波长一百九十三纳米。单次曝光分辨率极限是三十八纳米。
七纳米怎么做？
四重曝光。
一层图形拆成四次来印。”
“麻烦吗？”
他自问自答，“确实麻烦，光刻步骤比EUV多三倍，套刻精度要求正负一点七纳米。
但上海微电子最新的SSA800-10可以做到。”
“成本呢？”
秦风终于放下水杯，问了个商人该问的问题。
许哲咧嘴笑了一下——难得，这间屋子里终于有人问他懂的东西了。
“一台EUV光刻机，ASmL报价二十亿人民币起，交期三年，想买还不一定卖你。
一台SSA800，报价一点二亿，交期四个月，管够。